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GB10SLT12-220 发布时间 时间：2023/3/3 14:51:53 查看 阅读：575

    制造商：GeneSiCSemiconductor

    RoHS：是

    

目录

概述

    制造商：GeneSiCSemiconductor

    RoHS：是

    产品：SchottkySiliconCarbideDiodes

    封装：Bulk


资料

厂商
GeneSiC Semiconductor

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IC词条百科

GB10SLT12-220参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品Schottky Silicon Carbide Diodes
  • 峰值反向电压1200 V
  • 正向连续电流10 A
  • 最大浪涌电流65 A
  • 恢复时间25 ns
  • 正向电压下降1.9 V
  • 最大反向漏泄电流52 uA
  • 最大功率耗散42 W
  • 工作温度范围- 55 C to + 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 封装Bulk
  • 最大二极管电容40 pF
  • 工厂包装数量50

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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