器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-mode GaN HEMT）
　　材料技术：氮化镓（GaN） on Silicon Carbide (SiC) 或 Silicon
　　最大漏源电压（V_DS）：650 V
　　连续漏极电流（I_D）：30 A（具体值依封装和散热条件而定）
　　脉冲漏极电流（I_DM）：90 A
　　导通电阻（R_DS(on)）：45 mΩ 典型值 @ V_GS = 18 V
　　栅极阈值电压（V_th）：典型值 2.8 V，范围 2.3 ~ 3.4 V
　　输入电容（C_iss）：约 2700 pF @ V_DS = 50 V, V_GS = 0 V
　　输出电容（C_oss）：约 400 pF
　　反向恢复电荷（Q_rr）：接近于零（GaN 器件无体二极管反向恢复）
　　工作结温范围（T_j）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：表面贴装式（如 PQFN 或类似低电感封装）
　　栅极驱动电压推荐范围：+6 V 至 +7 V（开启），0 V 或负压关断（如 -2 V 至 0 V）
　　最大开关频率：支持 MHz 级高频切换

GAT-0+ 所搭载的增强型氮化镓 HEMT 器件展现出卓越的电气与热性能，使其成为现代高效率、高功率密度电源系统的理想选择。其最突出的特性之一是极低的导通电阻与优异的开关特性结合，显著降低了导通损耗和开关损耗。由于采用横向结构的 GaN-on-Si 或 GaN-on-SiC 材料体系，该器件具备更高的电子迁移率和更薄的栅极介质层，从而实现了远超传统硅基 MOSFET 的性能表现。在高频应用场景下，GAT-0+ 展现出极快的开关速度，上升时间和下降时间可控制在几纳秒以内，极大提升了电源系统的整体效率并允许使用更小的无源元件（如电感和电容），从而实现系统的小型化和轻量化。此外，由于 GaN HEMT 本身不具有传统体二极管，因此在硬开关条件下不会产生反向恢复电荷（Q_rr ≈ 0），避免了由此引起的尖峰电流和电磁干扰（EMI）问题，提高了系统的可靠性与稳定性。
　　GAT-0+ 评估板的设计充分考虑了高频布局对性能的影响，采用了低寄生电感的 PCB 布局技术，包括对称的电源回路设计、大面积接地平面以及短路径连接，有效抑制了电压过冲和振荡现象。这种优化设计使得用户可以在接近理想条件下测试 GaN 器件的真实性能，尤其适用于图腾柱 PFC、LLC 谐振转换器、同步整流等先进拓扑结构的开发。同时，该模块支持正温度系数的电流共享特性，允许多个 GaN 器件并联运行时实现自然均流，简化了大功率应用中的并联设计复杂度。热管理方面，GAT-0+ 通常具备良好的热传导路径，通过底部散热焊盘将热量高效传递至外部散热器或 PCB 铜层，确保长时间高负载运行下的结温处于安全范围内。最后，GAT-0+ 还兼容主流的 GaN 栅极驱动 IC，支持负压关断以增强抗噪能力和 dv/dt 耐受性，进一步提升了系统在恶劣电磁环境下的鲁棒性。

GAT-0+ 主要应用于需要高效率、高开关频率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用场景包括数据中心和服务器电源（如 80 PLUS 钛金级电源），其中 GAT-0+ 可用于图腾柱无桥 PFC 拓扑，显著提升整体能效并降低体积。在新能源汽车领域，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的主功率转换级，利用其高频特性减小磁性元件尺寸，提高充电效率。此外，在可再生能源系统如光伏微型逆变器和储能系统中，GAT-0+ 能够实现更高的 MPPT 效率和更低的待机功耗。工业电源、电信整流器以及高端消费类电子产品（如笔记本电脑适配器、游戏主机电源）也广泛采用基于 GAT-0+ 技术的解决方案，以满足日益严苛的能源法规和空间限制要求。其优异的动态响应特性还使其适用于无线功率传输系统和射频能量采集设备中的高频逆变电路。由于支持 MHz 级开关频率，GAT-0+ 在软开关拓扑（如 ZVS 和 ZCS）中表现出色，有助于实现零电压或零电流切换，进一步降低损耗。此外，该模块也被用于大学和研究机构的教学与科研项目中，作为 GaN 功率器件性能验证和新型拓扑探索的重要实验平台。

GS-065-030-1-L