GASDR-16V-Z 时间：2025/10/11 4:35:49 阅读：7

GASDR-16V-Z是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS阵列），专为高速数据线路的静电放电（ESD）和电气快速瞬变（EFT）保护而设计。该器件采用紧凑的微型封装，适用于空间受限的应用场景，同时提供高效的过压保护能力。GASDR-16V-Z集成了多个TVS二极管，能够对多条信号线进行同步保护，特别适合用于接口电路中易受瞬态干扰影响的部分。该器件广泛应用于通信设备、消费类电子产品以及工业控制系统中，确保敏感电子元件在恶劣电磁环境中仍能稳定运行。其低电容设计保证了对高速信号完整性的影响最小化，使其适用于USB、HDMI、以太网端口等高频信号线路的保护。
　　GASDR-16V-Z的工作原理基于雪崩击穿机制，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，不影响信号传输；当出现超过其击穿电压的瞬态过电压时，器件迅速进入低阻态，将多余能量泄放到地，从而钳位电压至安全水平，保护后级电路不受损害。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素、符合IEC 61000-4-2 Level 4等国际认证，适用于全球范围内的终端产品合规要求。

参数

类型：TVS二极管阵列
　　通道数：6
　　工作电压（VRWM）：16V
　　击穿电压（VBR）：17.8V @ 1mA
　　最大钳位电压（VC）：24.4V @ 2.5A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：150W
　　电容值（Cj）：典型值0.4pF
　　响应时间：小于1ps
　　封装形式：MicroDFN-10
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电），符合IEC61000-4-2 Level 4
　　反向漏电流（IR）：最大0.1μA @ VRWM

特性

GASDR-16V-Z具备卓越的瞬态抑制性能，能够在极短时间内响应高达±15kV的静电放电事件，有效防止因人体接触或设备操作过程中产生的静电对敏感IC造成损伤。其核心优势在于超低结电容（典型值仅为0.4pF），这一特性使得该器件非常适合应用于高速差分信号线路，如USB 3.0、HDMI 2.0、DisplayPort等需要保持信号完整性的场合。低电容意味着对信号上升/下降时间的影响极小，避免了信号失真、反射或带宽衰减等问题，从而保障高速数据传输的可靠性与稳定性。
　　此外，GASDR-16V-Z采用先进的半导体工艺制造，确保每个TVS单元具有一致的电气特性和长期可靠性。其150W的峰值脉冲功率处理能力使其不仅能应对ESD事件，还能抵御诸如电气快速瞬变（EFT）和雷击感应等较长时间的瞬态干扰。器件具有极低的动态电阻，能够在大电流冲击下维持较低的钳位电压，进一步提升系统级防护效果。MicroDFN-10的小型化封装不仅节省PCB布局空间，还优化了寄生参数，增强了高频性能。该封装支持回流焊工艺，便于自动化生产装配，提高制造效率。
　　从系统设计角度看，GASDR-16V-Z无需外部偏置电路即可实现双向保护功能，简化了电路设计复杂度。其双向结构可同时抑制正负极性瞬态电压，适用于交流耦合或双极性信号路径。器件的低漏电流特性（最大0.1μA）有助于降低待机功耗，适用于电池供电或低功耗应用。综合来看，GASDR-16V-Z在保护性能、信号保真度、尺寸紧凑性和环境适应性方面实现了良好平衡，是现代电子系统中理想的ESD保护解决方案之一。

应用

GASDR-16V-Z常用于各类高速数字接口的过压保护，包括但不限于USB Type-C、HDMI、DisplayPort、MIPI、SD卡槽、音频接口和LAN端口等。在便携式消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，这些接口频繁暴露于外部环境，极易受到用户操作带来的静电冲击，因此需要高性能TVS器件进行前端防护。该器件同样适用于工业控制领域的通信模块，如RS-485、CAN总线等，以增强系统在强电磁干扰环境下的鲁棒性。此外，在汽车电子系统中，尤其是车载信息娱乐系统的多媒体接口部分，GASDR-16V-Z也可用于防止来自线束耦合的瞬态噪声影响主控芯片。其高可靠性与宽温工作范围使其适应严苛的运行条件。电信基础设施中的光模块、基站接口板等也需要此类低电容TVS来保障信号质量的同时提供足够的ESD防护等级。总之，任何需要在不牺牲信号速率的前提下实现高水平电磁兼容（EMC）保护的应用场景，都是GASDR-16V-Z的理想用武之地。