工作频率范围：DC ~ 6000 MHz
　　增益：18.5 dB（典型值）
　　增益平坦度：±0.5 dB（典型值）
　　噪声系数：2.5 dB（典型值）
　　输出P1dB：+10 dBm（典型值）
　　输入VSWR：1.5:1（最大值）
　　输出VSWR：1.5:1（最大值）
　　工作电压：+9 V
　　工作电流：65 mA（典型值）
　　电源去耦要求：0.1 μF 和 10 μF 电容靠近Vcc引脚
　　封装类型：6引脚SMT（Surface Mount Technology）
　　尺寸：2.0 mm × 3.2 mm × 1.1 mm
　　存储温度范围：-40°C ~ +125°C
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

GALI-4F+ 具备卓越的宽带放大性能，其核心基于高性能GaAs FET工艺，确保在从直流到6 GHz的宽频带内提供稳定的18.5 dB典型增益。这种高增益且平坦的响应特性使其非常适合多频段通信系统中的中间级或驱动级放大应用。器件内部已集成输入输出匹配网络，显著降低了用户在射频布局时的设计复杂度，无需额外复杂的阻抗匹配电路即可实现良好驻波比，从而节省PCB空间并提高产品开发效率。该放大器的噪声系数仅为2.5 dB，结合较高的增益，能够有效提升整个接收链路的信噪比，特别适用于弱信号放大场景。
　　另一个关键特性是其良好的线性性能，输出1 dB压缩点（P1dB）达到+10 dBm，意味着在处理中等功率信号时仍能保持较低的失真水平，避免交调产物对系统造成干扰。这对于高密度调制信号传输如QAM、OFDM等应用至关重要。同时，该器件对电源波动具有一定的容忍能力，在+9V供电下仅消耗约65mA电流，功耗适中，适合电池供电或对热管理敏感的应用环境。
　　GALI-4F+ 还具备较强的鲁棒性，包括对输入输出端口的过压保护设计和高达±2 kV HBM（人体模型）的ESD耐受能力，增强了在实际装配和运行过程中的可靠性。其小型化的6引脚SMT封装不仅便于自动化贴片生产，还支持密集排布，适用于紧凑型射频模块设计。此外，该器件在整个工业温度范围内（-40°C至+85°C）均能稳定工作，适应严苛环境下的长期运行需求。所有材料均符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，符合现代绿色电子产品的环保标准。

GALI-4F+ 广泛应用于各类射频与微波系统中，尤其适用于需要高增益、低噪声和宽带响应的小信号放大场合。在无线通信领域，它常被用作蜂窝基站、Wi-Fi接入点、点对点微波链路中的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，以增强接收灵敏度或为后续混频器提供足够驱动电平。在测试与测量仪器中，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪前端，GALI-4F+ 可作为宽带增益模块，提升系统动态范围和测量精度。
　　此外，该器件也常见于雷达和电子战系统中的射频前端，用于脉冲信号的预放大或本振缓冲放大，其快速响应能力和宽频带覆盖能力有助于提升系统的探测分辨率和反应速度。在卫星通信终端和地面站设备中，GALI-4F+ 能够支持C波段及以下频段的信号放大任务，保障远距离数据传输的稳定性。其小型化封装和无需外置匹配的特点，使其成为无人机通信模块、便携式无线电设备和物联网网关等空间受限应用的理想选择。
　　由于其出色的增益平坦度和低失真特性，GALI-4F+ 还可用于高速数据采集系统、光纤通信中的电放大环节以及各种科研实验平台中的模拟信号调理电路。无论是实验室原型验证还是批量生产的商用设备，该放大器都能提供一致且可靠的性能表现，大幅缩短研发周期并降低整体系统成本。

GALI-4F