工作频率范围：DC ~ 6000 MHz
　　增益：18.5 dB（典型值）
　　增益平坦度：±0.5 dB（典型值）
　　噪声系数：4.5 dB（典型值）
　　输出三阶交调点（OIP3）：+37 dBm（典型值）
　　1 dB压缩输出功率（P1dB）：+19 dBm（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：1.5:1（最大值）
　　输出驻波比（VSWR）：1.5:1（最大值）
　　工作电压：+5 V DC
　　静态电流：75 mA（典型值）
　　封装类型：SOT-26
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

GALI-49的核心优势在于其基于GaAs FET工艺的分布式放大器架构，这种结构允许信号在多个晶体管之间进行相位对齐传输，从而显著扩展带宽并提升高频响应性能。与传统的共源或共栅放大器不同，分布式设计通过栅极和漏极传输线将多个放大单元级联，使得整个频段内的增益更加均匀，避免了传统放大器在高频端出现的急剧衰减现象。这一特性使得GALI-49能够在从直流到6 GHz的超宽频带内保持稳定的18.5 dB增益，并且增益波动控制在±0.5 dB以内，极大提升了系统设计的灵活性。
　　另一个关键特性是其卓越的线性性能。在+5V供电下，GALI-49可实现高达+37 dBm的输出三阶交调点（OIP3），这意味着它在处理多载波或高动态范围信号时能有效抑制互调失真，确保信号完整性。这对于现代通信系统如LTE、5G基站、CATV网络以及软件定义无线电（SDR）至关重要。同时，其1 dB压缩点输出功率达到+19 dBm，表明该器件不仅能提供足够高的输出电平，还能在大信号条件下保持较低的非线性失真。
　　低噪声系数（典型值4.5 dB）使GALI-49也可作为中频或射频前端的低噪声增益模块使用，尤其适用于弱信号放大场合。其输入/输出端口均针对50欧姆系统进行了内部匹配，用户无需额外添加匹配网络，降低了设计复杂度和PCB面积占用。此外，SOT-26小型化封装不仅节省空间，还具备良好的热传导性能，配合-40°C至+85°C的宽温工作范围，确保其在恶劣环境中的稳定运行。内置的静电放电（ESD）保护机制进一步增强了器件的可靠性，适合批量生产和现场部署。

GALI-49因其宽频带、高线性度和易用性，被广泛应用于各类高频电子系统中。在无线通信领域，常用于蜂窝基站的中频放大、回传链路驱动以及分布式天线系统的信号增强。其从DC开始的频率响应特性也使其适用于超宽带（UWB）系统和直接变频接收机中的基带或中频增益级。
　　在测试与测量仪器中，GALI-49常被集成于矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和信号发生器的内部射频路径中，用于补偿损耗或提升信号强度，保证测试精度。由于其高度一致的增益响应和低失真特性，非常适合用于校准系统或作为参考放大通道。
　　在军事与航空航天领域，该器件可用于雷达前端、电子战（EW）系统和卫星通信终端，承担低噪声放大或功率驱动任务。其高OIP3性能有助于维持复杂调制信号的质量，支持QAM、OFDM等先进调制格式的传输。
　　此外，在光纤通信、有线电视（CATV）分配网络和宽带接入设备中，GALI-49可用于线路驱动放大器，确保长距离传输后的信号恢复。其高输出功率能力和优异的互调性能可满足多频道混合信号的放大需求，防止频道间干扰。最后，在研发实验室和原型开发平台中，由于无需外部匹配元件，工程师可快速搭建射频链路，加速产品验证周期。

GALI-49+
　　GALI-49-SM