制造商：Mini-Circuits
　　型号：GALI-4+
　　工作频率范围：0.01 MHz - 6000 MHz (DC to 6 GHz)
　　典型增益：18.5 dB @ 1 GHz, 19.5 dB @ 2 GHz, 19 dB @ 4 GHz
　　增益平坦度：±0.5 dB (from 10 MHz to 3 GHz), ±1 dB up to 6 GHz
　　噪声系数：2.5 dB typical @ 1 GHz, 3.0 dB max over band
　　OIP3（三阶交调点）：+28 dBm typical @ 1 GHz
　　P1dB（1 dB压缩点）：+13.5 dBm typical @ 1 GHz
　　输入/输出驻波比（VSWR）：1.8:1 max
　　电源电压：3 V 至 5.5 V
　　静态电流：可调，典型设置为50 mA（通过外部电阻）
　　功耗：约 250 mW @ 5V, 50 mA
　　封装类型：SOT-26 (6-pin)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

GALI-4+ 具备卓越的宽带放大能力，能够在从接近直流（低至10MHz）到6GHz的宽频率范围内提供稳定且高效的增益表现。其核心采用GaAs MMIC技术，确保了高频下的低噪声与高线性度，适合用于接收链路前端的小信号放大。该器件的一个显著特点是内置输入输出匹配网络，支持50欧姆系统直接连接，无需复杂的外部匹配电路，极大地简化了射频设计过程，缩短产品开发周期。此外，GALI-4+ 提供可调节的偏置功能，用户可以通过在Vbias引脚接入不同阻值的电阻来精确控制偏置电流，从而在增益、功耗和线性度之间进行优化权衡。这种灵活性使其能够适应多种应用场景，包括低功耗便携式设备或高性能固定装置。放大器具有良好的热稳定性，在整个工业级温度范围内（-40°C至+85°C）保持一致的性能输出。其OIP3高达+28dBm，表明其具备较强的抗干扰能力和处理多载波信号的能力，适用于存在强邻道信号的复杂电磁环境。同时，P1dB输出功率约为+13.5dBm，足以驱动后续混频器或ADC等组件。器件还具备较高的隔离度和较低的反射系数，有助于减少级联电路间的相互影响，提升系统整体稳定性。封装采用小型化SOT-26设计，节省PCB空间，并支持自动化贴片生产，适合大批量制造。
　　GALI-4+ 经过严格的质量控制和可靠性验证，符合RoHS环保标准，适用于商业、工业甚至部分军用场合。尽管其为通用型放大器，但在使用时仍需注意电源去耦和接地布局，建议在靠近Vbias引脚处添加适当的旁路电容（如100pF和0.1μF）以抑制高频噪声和振荡风险。总体而言，GALI-4+ 凭借其宽频带、高增益、低噪声、易用性和高集成度，成为许多射频工程师在宽带放大设计中的首选器件之一。

GALI-4+ 广泛应用于各类需要宽带放大的射频和微波系统中。在无线通信领域，它常被用于蜂窝基站、Wi-Fi接入点、卫星通信终端以及点对点微波链路中作为中频或射频段的前置放大器，以提高接收灵敏度。在测试与测量设备中，例如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，GALI-4+ 可用于增强微弱信号的幅度，确保测量精度。其宽频特性也使其适用于电子战（EW）系统、雷达前端模块以及软件定义无线电（SDR）平台，作为通用增益模块提升系统动态范围。此外，在光纤通信系统中，可用于电信号调理环节，补偿长距离传输后的信号衰减。科研实验中，GALI-4+ 常被集成于天线阵列、传感器接口或低噪声接收机前端，执行低电平信号的初步放大任务。由于其支持DC耦合输入输出，还可用于放大超低频或脉冲信号，拓展至非传统射频应用，如生物医学成像或传感信号调理。在教育和原型开发领域，因其易于使用且资料齐全，GALI-4+ 成为高校实验室和初创团队搭建射频电路的理想选择。总之，凡是要求在宽频率范围内实现稳定增益、低噪声和良好线性的应用场景，GALI-4+ 都能发挥出色作用。

GALI-4+ SMT
　　GALI-4+LN
　　PGA-103+