型号：GALI-11DF
　　制造商：Mini-Circuits
　　封装类型：6引脚SOT-26
　　工作频率范围：0.1 MHz 至 6 GHz
　　典型增益：20 dB
　　增益平坦度：±0.5 dB（典型值）
　　噪声系数：4.5 dB（典型值）
　　输出P1dB（压缩点）：+13 dBm
　　三阶交调截点（OIP3）：+24 dBm
　　工作电压：5 V
　　工作电流：55 mA（典型值）
　　输入回波损耗：14 dB（典型值）
　　输出回波损耗：10 dB（典型值）
　　阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

GALI-11DF具备卓越的宽带放大能力，能够在从低频100kHz到高达6GHz的宽频带范围内提供稳定且一致的增益表现。这种宽频特性使其能够兼容多种调制格式和通信标准，包括但不限于LTE、WLAN、Wi-Fi 6、UWB以及各类软件定义无线电（SDR）系统。其内部集成的输入输出匹配网络极大降低了外部元件需求，减少了设计复杂性和PCB面积占用，同时提升了整体系统的可靠性。该芯片采用GaAs pHEMT工艺制造，不仅保证了高频性能，还实现了较低的直流功耗，在5V供电下仅消耗约55mA电流，非常适合对功耗敏感的便携式或远程部署设备。
　　另一个显著特点是其出色的线性度表现。GALI-11DF具有较高的三阶交调截点（OIP3达+24dBm），这意味着它在处理多载波信号或高动态范围信号时能够有效抑制非线性失真，减少互调干扰，从而提升接收机或发射链路的整体信噪比和信号保真度。此外，其输出1dB压缩点达到+13dBm，表明该放大器可以在较高输出功率下仍保持线性工作状态，适用于驱动后续混频器、ADC或其他射频组件。
　　热稳定性方面，GALI-11DF内置了温度补偿机制和过温保护功能，能够在不同环境温度下维持稳定的增益和偏置条件，避免因温漂导致系统性能下降。其SOT-26封装形式支持自动化贴片生产，符合现代电子制造工艺要求，并具备良好的散热性能。所有端口均对直流隔离电容集成于芯片内部，使用时无需外加隔直电容，进一步简化外围电路设计。综上所述，GALI-11DF以其高集成度、宽频带、低功耗和高线性度等特点，成为射频系统中理想的通用型增益模块解决方案。

GALI-11DF广泛应用于各种高频电子系统中，尤其适合作为本振（LO）缓冲放大器，在频率合成器与混频器之间提供足够的驱动能力，防止本地振荡信号受到负载变化的影响，提高频率源的稳定性。在接收链路中，它可以作为低噪声放大器（LNA）之后的中放级，用于提升信号强度以满足解调或模数转换的需求。在发射路径中，则可作为预驱动放大器来增强调制信号的幅度，确保后级功率放大器获得足够激励。
　　在测试与测量设备领域，如频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器中，GALI-11DF因其宽频带和高增益平坦度而被用于内部信号调理模块，有助于提高仪器的动态范围和测量精度。在无线通信基础设施中，例如小型基站、分布式天线系统（DAS）和毫米波回传链路中，该芯片可用于实现宽带信号放大，支持多频段操作。
　　此外，GALI-11DF也常见于航空航天与国防领域的雷达系统、电子战设备和卫星通信终端中，承担关键信号放大任务。其坚固的工艺设计和宽温工作能力使其能在恶劣环境中可靠运行。在科研和教育实验平台中，由于其易于使用和即插即用的特性，也成为高频电路教学和原型验证的理想选择。总之，凡是需要在宽频率范围内实现高效、稳定信号放大的场合，GALI-11DF都是一个高度可靠且性能优越的核心元器件。

GALI-19+, GVA-84+, PGA-105+