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GA355ER7GB473KW01L 发布时间 时间:2025/6/5 9:13:56 查看 阅读:24

GA355ER7GB473KW01L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合在高效率和高功率密度的设计中使用。
  该芯片属于增强型 N 沟道 MOSFET,其设计优化了动态性能与静态性能之间的平衡,从而能够满足各种复杂应用的需求。此外,它还具备强大的雪崩能力,能够在过载或异常情况下提供额外的保护。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:0.05Ω
  栅极电荷:65nC
  输入电容:2000pF
  反向恢复时间:80ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

GA355ER7GB473KW01L 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,有助于减小磁性元件体积,提升功率密度。
  3. 高耐压能力,适用于多种高压应用场景。
  4. 内置雪崩保护功能,增强了器件在极端条件下的可靠性。
  5. 小型封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
  6. 支持宽温度范围运行,适应恶劣的工作环境。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),例如适配器和充电器。
  2. 工业电机驱动和控制。
  3. DC-DC 转换器及逆变器。
  4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统。
  5. 各类家电产品的功率管理模块。
  6. 汽车电子中的负载开关和电池管理系统(BMS)。

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GA355ER7GB473KW01L参数

  • 制造商Murata
  • 电容0.047 uF
  • 容差10 %
  • 电压额定值250 Volts
  • 温度系数/代码X7R
  • 外壳代码 - in2220
  • 外壳代码 - mm5750
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品General Type MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF47 nF
  • Capacitance - pF47000 pF
  • 尺寸5 mm W x 5.7 mm L x 2.5 mm H
  • 封装 / 箱体2220 (5750 metric)
  • 系列GA3
  • 工厂包装数量500
  • 端接类型SMD/SMT