GA1812Y823KXEAT31G 是一款高精度陶瓷电容器,采用多层陶瓷工艺制造。该型号属于 X7R 温度特性的电容器系列,具有出色的稳定性和可靠性,适用于高频滤波、去耦和信号调节等场景。其尺寸紧凑,适合在空间受限的电路设计中使用。
该电容器能够在广泛的温度范围内保持稳定的电容值,同时具备低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻),从而确保了优异的高频性能。
电容值:0.082μF
额定电压:50V
封装类型:1812
公差:±10%
温度特性:X7R (-55℃至+125℃)
直流偏压特性:适中
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:贴片
高度:约1mm
GA1812Y823KXEAT31G 的主要特性包括:
1. 稳定的电气性能:即使在极端温度条件下,也能维持相对恒定的电容值。
2. 小型化设计:1812封装使其非常适合用于高密度印刷电路板。
3. 高频适用性:由于低ESL和ESR,这款电容器在高频应用中表现出色,能够有效抑制噪声。
4. 长寿命和高可靠性:采用了先进的材料和制造工艺,确保其在恶劣环境下的使用寿命。
5. 符合RoHS标准:环保且满足国际法规要求。
此型号的电容器广泛应用于以下领域:
1. 消费电子设备中的电源滤波和去耦。
2. 工业控制系统的信号调节电路。
3. 通信设备中的射频电路和滤波器。
4. 医疗设备中的敏感信号处理。
5. 汽车电子系统中的抗干扰设计。
6. LED驱动和其他高频开关电源的应用。
GA1812Y823KXEAJ31G
GA1812Y823KXEAR31G
GRM188R71E823KA01D