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GA1812Y823JBLAR31G 发布时间 时间:2025/6/5 16:55:06 查看 阅读:8

GA1812Y823JBLAR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,适用于高频和高功率应用场合。该器件采用了先进的 GaN-on-Si 工艺,具有卓越的开关性能和低导通电阻特性,能够显著提升电源转换系统的效率。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、通信设备电源以及工业电源等领域。
  这款晶体管设计上注重高温稳定性和可靠性,适合在高负载和高频工作条件下使用,同时其封装形式优化了散热性能,便于系统集成。

参数

型号:GA1812Y823JBLAR31G
  类型:增强型功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  额定电压:650V
  额定电流:12A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:75nC
  最大工作温度:175°C
  封装形式:TO-247-4L

特性

GA1812Y823JBLAR31G 的主要特点是其高效的开关性能与低导通损耗。具体来说:
  1. 高频率操作能力:由于其快速的开关速度和低寄生电感,该器件非常适合高频应用场景。
  2. 低导通电阻:仅为 40mΩ 的 Rds(on) 值使其在大电流应用中表现出色。
  3. 热稳定性:支持高达 175°C 的结温,保证了高温环境下的可靠运行。
  4. 高效能量转换:结合低导通电阻和快速开关特性,可实现更高的系统效率。
  5. 封装优化:采用 TO-247-4L 封装,提供出色的散热性能和易于安装的特点。

应用

GA1812Y823JBLAR31G 广泛用于需要高效能和高频率的电力电子应用中。典型的应用包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 不间断电源(UPS)
  4. 光伏逆变器
  5. 电机驱动
  6. 通信基站电源
  7. 工业电源模块
  由于其优越的性能,该芯片也逐渐被电动汽车充电设备等新兴领域所采用。

替代型号

GA1812Y823JBHAR31G, GA1812Y823JBLBR31G

GA1812Y823JBLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-