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GA1812Y683JBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 10:37:08 查看 阅读:10

GA1812Y683JBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  该型号中的部分字符可能代表封装形式、电压等级、电流能力等具体参数信息,通常由厂商定义。例如,“GA”可能是产品系列标识,“1812”可能表示尺寸或封装类型,而“Y683”则可能与电气特性相关。具体含义需参考原厂数据手册。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.07Ω
  栅极电荷:45nC
  开关频率:最高可达500kHz
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1812Y683JBBAR31G具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用,降低开关损耗。
  3. 高击穿电压(Vds),确保在高压环境下稳定运行。
  4. 内置ESD保护功能,增强器件的可靠性。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局并节省空间。
  6. 良好的热性能,有助于提升整体系统的散热能力。

应用

该芯片适用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)设计,包括适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子、工业设备等领域。
  3. 电机驱动电路,尤其是无刷直流电机控制。
  4. LED照明驱动器,提供高效的功率管理。
  5. 各类电力电子设备中作为功率开关元件使用。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NK65Z
  FDP15U65A

GA1812Y683JBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-