GA1812Y563MBEAT31G 是一款高性能的贴片式多层陶瓷电容器 (MLCC),主要用于滤波、耦合和去耦等应用。该型号属于高可靠性和高精度的电容系列,具有优异的温度稳定性和低ESR特性,适合在高频电路中使用。
该型号采用X7R介质材料,具备较高的电容量稳定性,并能在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
封装尺寸:1812
电容量:0.56μF
额定电压:31V
耐压范围:35V
介质材料:X7R
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
公差:±10%
DC偏置特性:良好
静电容量偏差:±10%
GA1812Y563MBEAT31G 的主要特性包括以下几点:
1. 使用X7R介质材料,能够在宽温条件下维持电容值的稳定性。
2. 高频下表现出较低的等效串联电阻(ESR),有助于减少信号损失并提升整体电路性能。
3. 具备良好的抗直流偏置能力,在加载较大直流电压时仍能维持较高电容量。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
5. 采用1812封装,适合表面贴装技术(SMT),便于大规模生产与自动化组装。
6. 工作温度范围广,能够适应恶劣环境下的应用需求。
该型号电容器广泛应用于各种电子设备中,尤其适用于需要高频滤波和电源去耦的场景。具体应用场景包括:
1. 消费类电子产品中的电源滤波及稳压电路。
2. 工业控制设备中的高频信号处理电路。
3. 通信设备中的射频前端模块。
4. 医疗设备中的精密电路设计。
5. 计算机主板及其他数字电路中的去耦网络。
6. 车载电子系统中的噪声抑制与信号调理电路。
GA1812Y563MBAET31G
GA1812Y563MBQET31G
KEMET C1812C563M5RACTU
Taiyo Yuden JMMP1H560MQ
Vishay VJ1812X563M500BA