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GA1812Y184MBAAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 20:49:58 查看 阅读:4

GA1812Y184MBAAT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管。该器件专为高频、高效率应用场景设计,适用于开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等应用。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为传统硅基MOSFET的理想替代品。
  这款芯片采用先进的封装工艺,具备优良的散热性能和电气稳定性,可显著提高系统的整体效率并减少体积与重量。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:75mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关频率:最高可达10MHz
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1812Y184MBAAT31G 具有以下主要特性:
  1. 基于氮化镓材料,提供更高的击穿电压和更低的导通损耗。
  2. 极低的导通电阻,有效降低传导损耗。
  3. 快速开关速度,支持高达10MHz的工作频率。
  4. 内置过温保护和过流保护功能,增强系统可靠性。
  5. 小型化设计,适合紧凑型电路布局。
  6. 高效热管理能力,确保在高功率密度下的稳定运行。
  7. 支持多种驱动模式,兼容现有驱动电路设计。
  这些特点使得该芯片特别适合高频功率转换和射频应用领域。

应用

该芯片广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(Switching Power Supply),如服务器电源、通信设备电源。
  2. DC-DC 转换器,包括车载充电器、电池管理系统中的DC-DC模块。
  3. 射频功放(RF Power Amplifier),用于无线通信基站或雷达系统。
  4. 新能源汽车充电桩及车载逆变器。
  5. 工业电机驱动控制单元。
  由于其卓越的性能表现,GA1812Y184MBAAT31G 成为现代电力电子设计中不可或缺的关键元件之一。

GA1812Y184MBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-