时间：2025/6/12 1:59:46
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GA1812Y183MBLAT31G 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率晶体管，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用增强型 HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、逆变器等场景。其封装形式通常为表面贴装类型，能够有效提升散热性能。
额定电压：650V
导通电阻：18mΩ
连续漏极电流：15A
栅极电荷：49nC
反向恢复时间：无反向恢复
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK88
该器件使用了先进的 GaN 技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关速度，可实现更高的开关频率，从而减小磁性元件体积。
3. 高热稳定性，支持在高温环境下长期运行。
4. 内置保护功能，如过流限制和短路保护，提高系统可靠性。
5. 无反向恢复电荷，降低了开关过程中的能量损失。
此外，它还拥有出色的效率表现，在高频应用中表现出色。
GA1812Y183MBLAT31G 广泛应用于需要高效能和高频工作的场合，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器，特别是图腾柱 PFC 和 LLC 谐振转换器。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 电动工具和电机驱动电路。
5. 快速充电器和其他消费类电子产品中的电源解决方案。
这款器件凭借其优异的性能，非常适合用于对尺寸和效率要求较高的应用领域。
GAN063-650WSA
GAN1214S-400
TP65H150G4LSG
