GA1812Y154MXBAT31G 是一款高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该型号具有低ESR(等效串联电阻)、高纹波电流能力和稳定的温度特性,广泛应用于需要高频滤波和电源退耦的场合。
其结构设计紧凑,适合表面贴装工艺,能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
型号:GA1812Y154MXBAT31G
容量:1.5μF
额定电压:4V
尺寸:1812英寸(约4.6mm x 3.2mm)
封装类型:表面贴装(SMD)
耐压等级:DC 4V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
电介质类型:X7R
绝缘阻抗:≥500MΩ
频率范围:1kHz 至 1GHz
GA1812Y154MXBAT31G 的主要特性包括:
1. 使用X7R电介质材料,提供优异的温度稳定性和可靠性。
2. 支持高频应用,具有较低的等效串联电阻(ESR),从而减少能量损耗。
3. 在宽广的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
4. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
5. 耐焊接热冲击性能良好,适合自动化的回流焊和波峰焊工艺。
6. 提供强大的纹波电流承载能力,适用于开关电源、DC-DC转换器等场景。
该电容器通常用于以下领域:
1. 高频滤波电路中作为旁路或退耦元件。
2. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的输出滤波电容。
3. 射频(RF) 和无线通信设备中的信号调理。
4. 工业控制和汽车电子中的噪声抑制。
5. 各种消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理部分。
GA1812Y154MXB0T31G, Kemet T521C106K4R0AA, Samsung CL21A154KBQNNNC