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GA1812Y153KXEAR31G 发布时间 时间:2025/6/5 16:35:47 查看 阅读:7

GA1812Y153KXEAR31G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,适用于高频和高功率密度的应用场景。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构,具有低导通电阻和快速开关性能,能够显著提升系统的效率与功率密度。其封装设计优化了散热性能,并且支持表面贴装技术 (SMT),非常适合现代电源转换器和射频放大器的需求。
  该型号通常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、无线充电模块以及激光雷达等高性能应用中。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:35mΩ
  栅极电荷:90nC
  输入电容:1200pF
  反向恢复时间:<50ns
  工作温度范围:-40℃ to +150℃

特性

GA1812Y153KXEAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。
  2. 高速开关能力,支持 MHz 级别的开关频率,适合高频电源应用。
  3. 内置 ESD 保护电路,增强了器件的可靠性。
  4. 采用增强型结构,确保在正常工作条件下具备高稳定性。
  5. 封装形式紧凑,便于集成到小型化设计中。
  6. 支持零电压开关 (ZVS) 和软开关拓扑,进一步降低开关损耗。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 高效 DC-DC 转换器,尤其是服务器、通信设备中的中间总线转换器。
  2. 快速充电适配器,提供更高的功率密度和更小的体积。
  3. 激光雷达驱动系统,满足高脉冲功率需求。
  4. 射频功率放大器,用于无线通信基站或其他高频信号处理场合。
  5. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制单元。
  6. 太阳能微型逆变器和储能系统中的电力电子模块。

替代型号

GA1812Y155KXEAR31G, GA1812Y153MXEAR31G

GA1812Y153KXEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-