GA1812A682FBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点,能够满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。
该型号中的部分编码含义如下:GA 表示制造商系列,1812A 指器件封装类型为 SMD 尺寸 1812,682FB 标识内部结构参数,BAR31G 是版本及性能等级代码。
额定电压:60V
额定电流:30A
导通电阻:3mΩ
栅极电荷:45nC
最大功耗:120W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:SMD 1812
GA1812A682FBBAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3mΩ),有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力(30A),可应对大功率负载需求。
4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),确保在极端条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 内置过温保护功能,提高可靠性。
7. 小型化封装(SMD 1812),节省 PCB 空间。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统的电源管理和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 充电器和适配器中的高效功率转换。
6. LED 驱动电路和照明系统。
GA1812A682FBBAR29G, IRFZ44N, FDP5502NL