时间：2025/6/4 13:48:19
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GA1812A681GBAAT31G 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片，主要应用于大容量数据存储需求的场景。该芯片采用先进的制程工艺，具备高可靠性和低功耗的特点，广泛用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备以及消费类电子产品中。
该型号属于 3D NAND 架构，支持多平面操作和高速接口传输，能够显著提升数据读写性能及使用寿命。
容量：512GB
接口类型：PCIe NVMe
工作电压：1.8V
通道数：8
I/O速度：1200MT/s
封装形式：BGA
工作温度：-40℃ 至 +85℃
擦写寿命：3000 次
GA1812A681GBAAT31G 的主要特性包括：高密度存储能力，适合需要大容量存储的应用场景；采用了最新的 3D NAND 技术，相比传统 2D NAND 提供更高的存储密度和更低的单位成本；支持 LDPC（低密度奇偶校验）纠错技术，确保数据的完整性与可靠性；具备强大的功耗管理功能，有助于延长设备电池续航时间；兼容主流 PCIe 和 NVMe 协议，提供更快的数据传输速率和更低的延迟。
此芯片适用于以下领域：消费级 SSD、企业级存储解决方案、工业控制设备中的数据记录模块、汽车电子系统的导航与信息娱乐单元、智能家居设备的本地存储需求、监控录像机的大容量存储扩展等。同时，它也适合作为嵌入式系统的核心存储组件，例如物联网网关和边缘计算设备。
GA1812A341GBAAT31G
GA1812A681GBAAT21G
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