GA1812A681GBAAT31G 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片,主要应用于大容量数据存储需求的场景。该芯片采用先进的制程工艺,具备高可靠性和低功耗的特点,广泛用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备以及消费类电子产品中。
该型号属于 3D NAND 架构,支持多平面操作和高速接口传输,能够显著提升数据读写性能及使用寿命。
容量:512GB
接口类型:PCIe NVMe
工作电压:1.8V
通道数:8
I/O速度:1200MT/s
封装形式:BGA
工作温度:-40℃ 至 +85℃
擦写寿命:3000 次
GA1812A681GBAAT31G 的主要特性包括:高密度存储能力,适合需要大容量存储的应用场景;采用了最新的 3D NAND 技术,相比传统 2D NAND 提供更高的存储密度和更低的单位成本;支持 LDPC(低密度奇偶校验)纠错技术,确保数据的完整性与可靠性;具备强大的功耗管理功能,有助于延长设备电池续航时间;兼容主流 PCIe 和 NVMe 协议,提供更快的数据传输速率和更低的延迟。
此芯片适用于以下领域:消费级 SSD、企业级存储解决方案、工业控制设备中的数据记录模块、汽车电子系统的导航与信息娱乐单元、智能家居设备的本地存储需求、监控录像机的大容量存储扩展等。同时,它也适合作为嵌入式系统的核心存储组件,例如物联网网关和边缘计算设备。
GA1812A341GBAAT31G
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