时间：2025/5/29 11:55:11
阅读：26
GA1812A681FXBAT31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率放大器模块，主要用于无线通信和雷达系统中的高频信号放大。该器件采用了先进的 GaN HEMT 工艺制造，具备高效率、宽带宽和高输出功率的特点，能够显著提升系统的性能表现。
该型号集成了匹配网络和其他关键电路组件，使得其易于设计到各类射频系统中。同时，它在高频工作环境下依然保持稳定的性能，适用于要求苛刻的商业及军事应用领域。
频率范围：DC 至 18GHz
饱和输出功率：40dBm
增益：15dB（典型值）
电源电压：28V
静态电流：1.2A（典型值）
输入驻波比（VSWR）：<2.0:1
输出驻波比（VSWR）：<2.0:1
封装形式：气密封装
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
1. 基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术，确保卓越的高频性能和高效率。
2. 频率范围广，覆盖 DC 至 18GHz，适合多种高频应用需求。
3. 输出功率高达 40dBm，同时保持良好的线性度和效率。
4. 内置匹配网络，简化了外部设计并减少了外围元件的需求。
5. 具有高可靠性和稳定性，能够在极端温度条件下正常运行。
6. 封装采用气密设计，增强对恶劣环境的防护能力。
该芯片广泛应用于各种射频和微波系统中，包括但不限于以下领域：
1. 军用雷达和电子对抗系统。
2. 5G 和其他无线通信基础设施设备。
3. 卫星通信和地面站设备。
4. 测试与测量仪器，例如频谱分析仪和信号发生器。
5. 医疗成像设备和工业微波加热装置。
GA1812A681FXBAT32G
GA1812A681FXBAT33G
GA1812A681FXBAT34G
