GA1812A680JBLAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等电力电子领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备高效率、低导通电阻和优异的热性能,能够满足严苛的工业及消费类应用需求。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,通过优化的栅极驱动设计,可以显著降低开关损耗并提升系统整体效率。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):150W
结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3L
GA1812A680JBLAR31G 的主要特点是其超低的导通电阻和出色的开关性能。这使得它在高频应用中具有较低的传导损耗和开关损耗,从而提高了整体系统的效率。
此外,该器件还具有快速的开关速度和较低的输入电容(Ciss),这有助于减少电磁干扰(EMI)并提高动态响应能力。
其坚固的结构设计和宽泛的工作温度范围使其非常适合恶劣环境下的应用。同时,内置的ESD保护功能进一步增强了产品的可靠性。
该功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 新能源汽车的逆变器模块
6. 充电器和适配器设计
由于其高电流承载能力和耐高压特性,该芯片在大功率场合表现出色。
GA1812A680JBLAR29G, IRFP2907ZPBF, FDP18N65C4