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GA1812A680FXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/5 12:56:19 查看 阅读:7

GA1812A680FXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的应用场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和快速开关性能,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,其封装形式为 TO-247,适合高电流、高电压应用环境。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:68mΩ
  栅极电荷:105nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1812A680FXAAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(68mΩ),可有效减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,栅极电荷仅为 105nC,能够实现更快的开关速度。
  3. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),适用于各种恶劣环境条件。
  4. 高可靠性设计,具备出色的抗浪涌能力和 ESD 保护性能。
  5. 封装形式为 TO-247,便于散热设计,满足大功率应用场景的需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  3. 工业电机驱动与控制电路。
  4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  5. 电动车及电动工具的驱动系统。
  6. 其他需要高效功率转换和快速开关的应用场景。

替代型号

GA1812A680FXAAR31G-A, IRFZ44N, FQP50N06L

GA1812A680FXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容68 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-