GA1812A680FXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的应用场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和快速开关性能,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,其封装形式为 TO-247,适合高电流、高电压应用环境。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:68mΩ
栅极电荷:105nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
GA1812A680FXAAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(68mΩ),可有效减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,栅极电荷仅为 105nC,能够实现更快的开关速度。
3. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),适用于各种恶劣环境条件。
4. 高可靠性设计,具备出色的抗浪涌能力和 ESD 保护性能。
5. 封装形式为 TO-247,便于散热设计,满足大功率应用场景的需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 工业电机驱动与控制电路。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 电动车及电动工具的驱动系统。
6. 其他需要高效功率转换和快速开关的应用场景。
GA1812A680FXAAR31G-A, IRFZ44N, FQP50N06L