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GA1812A562JBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 13:45:22 查看 阅读:24

GA1812A562JBBAR31G 是一款高功率、高频应用的砷化镓(GaAs)场效应晶体管(FET),主要用于射频和微波放大器领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够提供卓越的增益、效率和线性度,广泛应用于通信系统、雷达设备以及卫星通信等领域。
  该型号的命名规则包含了许多关键信息:其中 GA 表示砷化镓技术,1812 指代封装尺寸或设计系列,562 是内部设计版本号,而 JBBAR 则表示特定的应用等级或工作条件优化,最后的 31G 标识其性能级别或迭代版本。

参数

最大输出功率:40W
  工作频率范围:1GHz 至 18GHz
  增益:15dB(典型值)
  漏极效率:60%(典型值)
  工作电压:28V
  静态电流:2.5A
  输入匹配阻抗:50Ω
  输出匹配阻抗:50Ω
  封装形式:陶瓷密封封装
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1812A562JBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 高功率密度:能够在小体积内提供高达 40W 的输出功率。
  2. 宽带覆盖能力:支持从 1GHz 到 18GHz 的宽频率范围,非常适合多频段应用。
  3. 高效率与可靠性:通过优化的偏置电路设计,确保在高频条件下依然保持较高的能量转换效率。
  4. 良好的线性度:特别适合要求严格的通信场景,如 OFDM 或 QAM 调制信号。
  5. 优异的热管理:得益于陶瓷封装技术,散热性能显著提升,从而延长器件寿命。
  6. 小型化设计:便于集成到紧凑型射频模块中,满足现代设备对空间的需求。
  此外,该芯片还具有较低的噪声系数,在接收端同样表现出色。

应用

GA1812A562JBBAR31G 主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:用于提高信号传输距离和质量。
  2. 军事与航空航天:例如雷达系统、电子对抗设备以及卫星通信终端。
  3. 测试与测量仪器:为高性能频谱分析仪和信号发生器提供稳定可靠的射频源。
  4. 点对点微波链路:支持长距离数据传输网络中的功率放大功能。
  5. 医疗成像设备:某些高端医疗仪器需要高频信号处理时也可使用此芯片。
  总之,这款产品适用于任何需要高功率、高效率射频放大的场合。

替代型号

GA1812A562JBBAQ29G, GA1812A562JBBAS32G

GA1812A562JBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-