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GA1812A561FBLAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 13:43:59 查看 阅读:6

GA1812A561FBLAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺设计,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率电力电子应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持较高的效率和较低的功耗。
  其封装形式为TO-220,这种封装形式能够提供良好的散热性能,适合大电流应用场景。此外,该芯片还具备优异的热稳定性和可靠性,适用于各种工业及消费类电子产品。

参数

型号:GA1812A561FBLAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大持续漏极电流Id:40A
  导通电阻Rds(on):5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗Ptot:150W
  工作温度范围Tj:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

GA1812A561FBLAT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,非常适合现代高效能电源设计。
  3. 高度可靠的设计,能够承受恶劣的工作环境,如高温和高湿条件。
  4. 优化的热性能,确保在高负载情况下仍能保持稳定的运行状态。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得该芯片成为许多电力电子设备中的理想选择。

应用

GA1812A561FBLAT31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),用于提升转换效率和减少热量产生。
  2. DC-DC转换器,为各类电子设备提供稳定的直流电源。
  3. 电机驱动电路,实现对直流或无刷电机的精确控制。
  4. 充电器模块,如手机、笔记本电脑等便携式设备的快速充电解决方案。
  5. 工业自动化设备,例如PLC控制器、伺服驱动器等,提供可靠的功率输出功能。
  凭借其卓越的性能,这款芯片已经成为众多工程师在设计高效功率转换系统时的首选。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L

GA1812A561FBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-