时间：2025/5/20 20:21:28
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GA1812A560GXHAR31G 是一款高性能、大功率的 MOSFET 场效应晶体管，主要应用于工业和汽车电子领域。该型号具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的场景。
这款 MOSFET 的设计使其能够承受较高的电流负载，并且在高温环境下依然保持稳定的工作性能。其封装形式为 TO-247，这种封装方式可以有效地提高散热性能并增强机械强度。
类型：MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：56A
导通电阻(Rds(on))：0.045Ω
功耗(Ptot)：250W
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压：支持高达 1200V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 超低导通电阻：仅为 0.045Ω，在高电流应用中减少能量损耗。
3. 快速开关能力：具备短开关时间和较低的米勒电容，适合高频开关电源设计。
4. 强大的热性能：通过优化的 TO-247 封装设计，提供卓越的散热效果。
5. 宽温工作范围：能够在极端温度条件下（-55℃ 至 +175℃）正常运行，适应恶劣环境需求。
6. 高可靠性：经过严格的质量测试，满足 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动和逆变器电路中的功率控制器件。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 新能源领域如太阳能逆变器和电动汽车牵引逆变器的核心功率组件。
5. 充电器和适配器中的高效功率转换解决方案。
GA1812A560GXHAR21G, GA1812A560GXHBR31G
