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GA1812A560GXEAT31G 发布时间 时间:2025/6/5 16:34:13 查看 阅读:10

GA1812A560GXEAT31G 是一款高性能功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备低导通电阻和快速开关性能。
  其封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK,具体封装需根据实际产品规格确认。这种芯片设计旨在提高效率并降低功耗,适用于高电流和高频应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关频率:500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1812A560GXEAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 具备出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 内置静电保护功能,增强器件的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  此款 MOSFET 在动态和静态性能方面均表现出色,特别适合需要高效能量转换的应用场景。

应用

GA1812A560GXEAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动
  3. 工业自动化设备中的负载切换
  4. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器
  5. 光伏逆变器及其他功率转换系统
  由于其高电流承载能力和低损耗特点,这款芯片成为许多大功率应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP55NF06L

GA1812A560GXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容56 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-