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GA1812A560FBGAR31G 发布时间 时间:2025/6/5 16:38:57 查看 阅读:9

GA1812A560FBGAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机驱动以及 LED 照明等领域。
  该器件封装形式为 FBGA(细间距球栅阵列),有助于提高热性能和电气性能,同时减小整体解决方案尺寸。此外,其内置的保护功能可增强系统的可靠性和稳定性。

参数

型号:GA1812A560FBGAR31G
  类型:N-Channel Power MOSFET
  封装形式:FBGA
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):75nC
  输入电容(Ciss):3000pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  存储温度范围:-65℃ 至 +150℃

特性

GA1812A560FBGAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗,从而提升系统效率。
  2. 快速开关速度得益于低栅极电荷 (Qg),适用于高频操作环境。
  3. 高额定电流支持大功率应用。
  4. 内置 ESD 保护功能以提高器件可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  6. 封装紧凑,便于在空间受限的设计中使用。
  7. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. AC-DC 电源适配器及充电器。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和电机控制。
  4. 工业设备中的逆变器和变频器。
  5. 高效 LED 照明驱动电路。
  6. 电池管理系统的充放电控制。
  7. 各类便携式电子设备的电源管理单元 (PMU)。

替代型号

GA1812A560FBGAR29G
  IRF540N
  FDP5800
  AON6810

GA1812A560FBGAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容56 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-