GA1812A391KXEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高电流处理能力,从而实现高效的功率转换和稳定的性能表现。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 类别,其优化设计可显著降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:100A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:55nC
开关速度:超高速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:D2PAK(TO-263)
GA1812A391KXEAT31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下仅为 1.2mΩ,有助于减少传导损耗。
2. 高额定电流能力,支持高达 100A 的连续漏极电流。
3. 超快速开关性能,确保高频应用中的高效运行。
4. 内置反向恢复二极管,进一步优化了电路性能。
5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃),适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
这款功率 MOSFET 主要用于需要高电流处理能力和高效功率转换的应用场景,例如:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动及控制电路。
3. 太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS)。
4. 工业自动化设备和电动工具。
5. 高效负载切换与保护电路。
由于其出色的电气性能和稳定性,该芯片非常适合要求严格的大功率电子系统。
GA1812A391KXEAT21G
IRF7727PbF
STP100N06LL
FDP155N06L