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GA1812A391KXEAT31G 发布时间 时间:2025/6/19 3:17:46 查看 阅读:23

GA1812A391KXEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高电流处理能力,从而实现高效的功率转换和稳定的性能表现。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 类别,其优化设计可显著降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:55nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:D2PAK(TO-263)

特性

GA1812A391KXEAT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下仅为 1.2mΩ,有助于减少传导损耗。
  2. 高额定电流能力,支持高达 100A 的连续漏极电流。
  3. 超快速开关性能,确保高频应用中的高效运行。
  4. 内置反向恢复二极管,进一步优化了电路性能。
  5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃),适应各种严苛环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

这款功率 MOSFET 主要用于需要高电流处理能力和高效功率转换的应用场景,例如:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动及控制电路。
  3. 太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS)。
  4. 工业自动化设备和电动工具。
  5. 高效负载切换与保护电路。
  由于其出色的电气性能和稳定性,该芯片非常适合要求严格的大功率电子系统。

替代型号

GA1812A391KXEAT21G
  IRF7727PbF
  STP100N06LL
  FDP155N06L

GA1812A391KXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-