GA1812A391JXLAT31G 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高性能功率放大器芯片,专为无线通信、雷达和卫星应用中的高频信号放大而设计。该芯片具有卓越的输出功率、增益和效率表现,适用于射频和微波频段的信号处理任务。其封装形式紧凑,便于集成到各类射频模块中。
型号:GA1812A391JXLAT31G
工艺:GaAs PHEMT
频率范围:2 GHz 至 18 GHz
输出功率(Psat):39 dBm
增益:12 dB
电源电压:12 V
工作电流:450 mA
封装形式:LCC-31
工作温度范围:-55°C 至 +105°C
GA1812A391JXLAT31G 具有以下显著特性:
1. 高线性度和高效率,在宽带高频应用中表现出色。
2. 紧凑型封装设计,适合空间受限的应用场景。
3. 内部匹配网络优化了输入和输出阻抗,从而简化了外部电路设计。
4. 稳定的工作性能,即使在极端温度条件下也能保持较高的可靠性。
5. 广泛的频率覆盖范围使得它能够满足多种无线通信协议的需求。
6. 低噪声系数设计,确保了信号的高质量传输。
这款芯片广泛应用于各种射频和微波系统中,包括但不限于:
1. 蜂窝基站和无线接入点中的功率放大器模块。
2. 雷达系统的发射机组件。
3. 卫星通信设备中的上行链路放大器。
4. 测试与测量仪器中的信号源。
5. 军事通信系统中的高性能射频模块。
由于其宽广的频率范围和高输出功率,该芯片非常适合需要高性能射频放大的场合。
GA1812A371KXLAT31G, GA1812A401JXLAT31G