时间：2025/6/16 23:40:04
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GA1812A391JBEAR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。其封装形式为表面贴装型，适合自动化生产。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：39mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-247
1. 采用先进的氮化镓技术，提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
2. 支持高达600V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
3. 内置ESD保护功能，提高了器件的可靠性和稳定性。
4. 封装设计优化散热性能，确保在高温环境下仍能保持高效运行。
5. 高效节能，在高频工作条件下表现出卓越的功率转换效率。
该芯片主要应用于高频开关电源、电动汽车充电设备、工业电源模块、数据中心电源管理系统以及射频能量传输等领域。此外，它也适合用作太阳能逆变器的核心元件，以提高能源转换效率。
由于其出色的高频性能和高耐压能力，该芯片还被广泛用于无线充电设备和高功率LED驱动电路中。
GAN063-650WSA, Infineon GaN HEMT series
