时间：2025/6/26 0:34:52
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GA1812A390GBLAR31G 是一款高性能的功率 MOS应用于电源管理、电机驱动和开关模式电源等场景。该芯片具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提升系统性能。其采用先进的制造工艺，确保了出色的热特性和可靠性。
类型：MOSFET
封装形式：TO-220
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：39A
导通电阻(Rds(on))：3.9mΩ
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷(Qg)：78nC
GA1812A390GBLAR31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，仅为 3.9mΩ，从而大幅降低了导通损耗。
2. 高效率设计，适用于需要大电流输出的应用场合。
3. 快速开关能力，能够有效减少开关损耗。
4. 强大的散热性能，支持在高温环境下长期稳定运行。
5. 提供卓越的电气保护功能，如过流保护和短路保护，增强系统的安全性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动，如无刷直流电机(BLDC)控制器。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 通信电源和适配器设计。
5. 大功率 LED 驱动电路。
6. 电池管理系统(BMS)中的功率控制模块。
IRFP2907ZPBF,
STP30NF06,
FDP18N06L,
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IXFH30N06T2
