时间：2025/6/17 4:28:57
阅读：3
GA1812A181GBBAT31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率和快速开关的应用场景。该器件采用先进的封装技术，能够有效降低寄生电感，提升整体性能。
其核心设计结合了低导通电阻和高开关速度的特点，适合要求严格的电源管理应用。此外，它还具有出色的热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。
型号：GA1812A181GBBAT31G
类型：GaN 功率晶体管
额定电压：650 V
额定电流：18 A
导通电阻：18 mΩ
栅极电荷：40 nC
反向恢复时间：无（因 GaN 不涉及体二极管）
最大结温：175 °C
封装形式：LFPAK EdgeClip
GA1812A181GBBAT31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，使得传导损耗显著降低。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率，减少磁性元件体积。
3. 内置保护功能，如过流保护和短路耐受能力，提升了系统可靠性。
4. 没有传统硅 MOSFET 的反向恢复问题，降低了开关损耗。
5. 较小的封装尺寸，有助于实现更高功率密度的设计。
6. 热阻较低，有助于提高散热性能，延长使用寿命。
这些特性使该器件非常适合应用于小型化、高效率的电源解决方案中。
GA1812A181GBBAT31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 图形卡 (GPU) 和游戏主机的供电模块。
3. 数据中心服务器电源单元 (PSU)。
4. 无线充电设备中的功率传输模块。
5. 快速充电器和便携式电子设备的适配器。
6. 工业自动化控制中的高频 DC-DC 转换器。
7. 太阳能微型逆变器及其他新能源相关设备。
凭借其卓越的性能，这款 GaN 功率晶体管成为众多高效率电力转换系统的首选方案。
GAC16R65BAW, KSG1812AP65T2G4
