GA1812A153JBAAT31G 是一种贴片式多层陶瓷电容器 (MLCC),属于高容量、低ESR系列,适用于高频滤波和电源去耦等场景。该型号采用了X7R介质材料,具有良好的温度稳定性和可靠性。其封装尺寸为1812(4.5mm x 3.2mm),额定电压为31V,并提供15μF的标称电容值。
电容值:15μF
额定电压:31V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:1812
介质材料:X7R
耐压等级:DC 31V
公差:±10%
ESR:低ESR特性
GA1812A153JBAAT31G 具有以下特点:
1. 使用X7R介质材料,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值。
2. 高容量设计适合在紧凑型电路中进行高效滤波。
3. 贴片式封装使其易于自动化焊接及安装,提高生产效率。
4. 低ESR特性有助于减少能量损耗并改善高频性能。
5. 符合RoHS标准,环保无害,满足现代电子设备对绿色制造的要求。
6. 广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子等领域,尤其是在需要稳定电源供应的情况下。
该型号主要用于高频滤波、电源去耦、信号耦合与解耦、储能以及其他需要大容量电容的应用场合。常见应用场景包括:
1. 开关电源中的输入输出滤波。
2. 数字电路中的去耦网络。
3. 射频模块中的旁路电容。
4. 工业级或车载设备中的噪声抑制。
5. 各种高性能模拟电路中作为关键元件使用。
KEMET C0805X106K4RACTU
TDK C3216X7R1C155M4RAC
AVX 08055C155M4RACTU