GA1812A151JBGAR31G 是一款高性能的贴片式多层陶瓷电容器 (MLCC),主要用于滤波、耦合和旁路等应用场景。该型号属于高容值系列,采用X7R介质材料,具有优良的温度稳定性和频率特性。其封装尺寸为1812(4.5x3.2mm),适合用于需要大容量且空间受限的设计。
该电容器具备低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻)的特点,能够提供高效的高频性能,同时在直流偏置下仍然保持相对稳定的电容值。
型号:GA1812A151JBGAR31G
封装:1812
电容量:10uF
额定电压:6.3V
介质类型:X7R
公差:±10%
工作温度范围:-55℃ to +125℃
DC偏置特性:≤-20% at rated voltage
ESR典型值:0.01Ω(@100kHz)
ESL典型值:1nH
GA1812A151JBGAR31G 的主要特点是采用了先进的工艺制造,确保了高可靠性和一致性。它使用X7R类介质,能够在宽温度范围内(-55℃到+125℃)保持电容量的稳定性,并且具有良好的频率响应特性。此外,该电容器支持表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产和焊接,减少了人为操作带来的误差。
该型号还具备低阻抗特性,在高频条件下表现出色,非常适合用于电源滤波、去耦以及射频电路中的应用。另外,由于其较高的容值和较小的体积,可以替代多个小容值电容器以简化电路设计。
GA1812A151JBGAR31G 广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。常见的应用包括:
- 开关电源中的输入输出滤波
- 微处理器及数字电路的电源去耦
- 射频前端电路中的信号耦合与匹配
- 工业控制模块中的噪声抑制
- 医疗设备中的信号处理电路
此外,由于其出色的高温性能,也适用于汽车电子系统中的电源管理部分。
KEMET C0805X106M9PAAC, TDK C2012X7R1C106M9PAE, Samsung CL21B106MCNNNC