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GA1812A123GXCAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 10:35:33 查看 阅读:6

GA1812A123GXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
  该芯片属于N沟道增强型场效应晶体管,广泛适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中需要高效能功率管理的场景。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  漏源极耐压(Vds):60V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  连续漏极电流(Id):120A(Ta=25°C)
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1812A123GXCAR31G具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高电流承载能力,适合大功率应用场景。
  4. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下也能可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 内置ESD保护功能,增强了芯片的抗静电能力。

应用

这款功率MOSFET适用于广泛的电力电子应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
  3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载切换与电池管理。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 高效能源管理解决方案,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。

GA1812A123GXCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-