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GA1812A122GXAAR31G 发布时间 时间:2025/7/2 14:17:46 查看 阅读:10

GA1812A122GXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源管理和电机驱动应用。其封装形式和电气特性使其成为工业控制、通信设备以及消费类电子产品的理想选择。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET,支持高频开关操作,并在高温环境下仍能保持稳定的性能。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  总功耗(Ptot):150W
  结温范围(Tj):-55°C to 175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1812A122GXAAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保高效的功率转换,减少能量损失。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 高电流承载能力,能够在大功率应用中稳定运行。
  4. 改进的热性能,能够有效散发热量,延长器件寿命。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。
  6. 内置静电保护功能,提升芯片的可靠性和抗干扰能力。

应用

该芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,用于家用电器和工业自动化设备。
  3. UPS 系统中的逆变器和电池充电管理。
  4. LED 照明驱动,提供高效且稳定的电流输出。
  5. 电动汽车和混合动力汽车中的电力管理系统。
  6. 工业级电源模块和通信基站电源。

替代型号

GA1812A122GXAAR31GXL, IRFZ44N, FDP5501

GA1812A122GXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-