时间：2025/5/29 11:54:59
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GA1812A122FBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺以实现更低的导通电阻和更高的效率。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高功率密度场景中。
其封装形式为行业标准的表面贴装类型，具备出色的散热性能和可靠性，适用于工业级和汽车级应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：450pF
工作温度范围：-40℃至175℃
GA1812A122FBCAR31G 提供了非常低的导通电阻，从而显著减少了功率损耗并提高了整体系统效率。
此外，该器件具有快速开关速度，能够有效降低开关损耗。
其优化的热设计确保了在高负载条件下的稳定运行，并且具备强大的短路耐受能力。
同时，内置的保护机制如过流保护和热关断功能增强了系统的安全性。
该芯片符合 AEC-Q101 标准，确保了在极端环境下的可靠性能。
这款功率 MOSFET 主要用于高效能电力电子设备中，例如：
电动汽车的牵引逆变器、车载充电器以及 DC-DC 转换器。
工业领域中的大功率电机驱动、不间断电源（UPS）系统。
消费类电子产品中的笔记本电脑适配器、快充头以及其他高功率密度的 AC-DC 和 DC-DC 转换模块。
此外，在太阳能微逆变器和储能系统中也得到了广泛应用。
GA1812A122FBCAR29G, GA1812A122FBCAR33G
