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GA1812A121GBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 13:09:33 查看 阅读:11

GA1812A121GBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该芯片主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景,如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等。其封装形式为 TO-263,适合表面贴装技术(SMT),能够满足工业级应用对可靠性和性能的要求。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET 系列,支持高频工作环境,同时具备出色的热性能表现。通过优化栅极电荷和导通电阻之间的权衡,这款芯片能够在各种负载条件下提供稳定的性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  总电容:280pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1812A121GBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))使得传导损耗降到最低,从而提高系统效率。
  2. 高速开关能力得益于较小的栅极电荷,适用于高频应用。
  3. 强大的散热性能,能够在高温环境下长期稳定运行。
  4. 提供过流保护功能,确保在异常情况下器件的安全性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代工业要求。
  6. 具备较强的抗 ESD(静电放电)能力,增强了器件的可靠性。
  7. 表面贴装封装提高了 PCB 布局灵活性并简化了装配过程。

应用

GA1812A121GBAAR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和适配器中作为主功率开关。
  2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流和降压/升压电路。
  3. 工业电机驱动及控制电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率开关。
  6. 汽车电子设备中的负载切换和保护电路。
  7. 高效 LED 驱动器设计。

替代型号

GA1812A121GBAAR29G, IRFZ44N, FDP5500

GA1812A121GBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-