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GA1812A121FXGAR31G 发布时间 时间:2025/7/4 2:38:27 查看 阅读:13

GA1812A121FXGAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先进的半导体制造工艺。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域,能够提供高效的功率转换和卓越的性能表现。
  该器件具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度以及出色的热稳定性,能够在高电流和高频条件下保持稳定运行。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和散热管理。

参数

型号:GA1812A121FXGAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  Vgs(th)(栅极阈值电压):2V~4V
  Rds(on)(导通电阻):12mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):31A
  封装形式:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

该芯片采用了最新的沟槽式MOSFET技术,具备以下突出特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境,减少开关损耗。
  3. 内置ESD保护电路,增强器件在恶劣环境中的可靠性。
  4. 热稳定性良好,能在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
  5. 小型化封装设计,易于集成到紧凑型电路板中,同时支持高效的散热管理。
  6. 符合RoHS环保标准,确保对环境无害。

应用

GA1812A121FXGAR31G广泛适用于各种功率电子设备和系统,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于电池供电设备或工业控制系统。
  3. 电机驱动,例如小型直流电机控制。
  4. 负载开关,用于笔记本电脑、平板电脑和其他消费类电子产品。
  5. 过流保护和短路保护电路,提供可靠的安全保障。
  6. 工业自动化和汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

GA1812A121FXGAR28G, IRFZ44N, FDP158N06L

GA1812A121FXGAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-