GA1812A101KXBAT31G 是一款陶瓷电容器,属于 GA 系列,采用多层陶瓷技术制造。该型号具有高可靠性和稳定的电气性能,适合在高频电路和信号滤波应用中使用。其封装形式为片式,便于表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
这款电容器具有较低的等效串联电阻(ESR)和优异的温度稳定性,在各种工作条件下都能提供稳定的性能表现。
容量:1.0μF
额定电压:6.3V
容差:±10%
工作温度范围:-55℃至+125℃
尺寸:1812英寸(4.5mm x 3.2mm)
介质材料:X7R
封装类型:表面贴装(SMD)
直流偏置特性:良好
频率特性:适用于高频应用
GA1812A101KXBAT31G 具有以下显著特性:
1. 高可靠性:采用高质量陶瓷材料制造,确保长时间稳定运行。
2. 温度稳定性:基于 X7R 介质材料,能够在宽温范围内保持电容量稳定。
3. 低 ESR 和 ESL:优化设计以减少寄生参数影响,适合高频场景。
4. 小型化设计:1812 封装使其易于集成到紧凑型电路板中。
5. 抗振动能力强:特别适合需要抗震能力的应用环境。
6. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。
该型号电容器适用于多种电子电路:
1. 滤波电路:在电源输出端或信号通道中进行噪声抑制。
2. 耦合与去耦:用于芯片供电网络中的电源去耦以及信号放大器间的耦合。
3. 谐振电路:配合电感构成 LC 谐振回路,实现特定频率选择功能。
4. 工业控制设备:如变频器、伺服驱动器等对稳定性要求较高的场合。
5. 消费类电子产品:智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理部分。
GA1812A101KXBAT32G
GA1812B101KXBAT31G
KEMET C1812C105M5RACTU
TDK C1812C105M5RACTU