GA1210Y824KXAAT31G 是一款高性能的贴片式多层陶瓷电容器 (MLCC),主要用于射频和微波电路中。它具有低等效串联电阻 (ESR) 和低等效串联电感 (ESL),适用于高频滤波、去耦以及信号调节等场景。该型号采用 X7R 介质,具备出色的温度稳定性和可靠性,适合工业级和消费级应用。
封装:0402
容量:10pF
额定电压:50V
公差:±5%
介质材料:X7R
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
DC偏置特性:良好
ESR:典型值 ≤ 0.05Ω
频率范围:DC 至 6GHz
GA1210Y824KXAAT31G 的主要特点是其超小型封装设计与高频率性能兼容。0402 封装使其非常适合空间受限的设计环境。
其次,该型号采用了 X7R 介质材料,这种介质材料提供了较高的容量密度,同时在温度变化范围内保持了稳定的电容值。
此外,这款电容器具有较低的 ESR 和 ESL,能够在高频应用中提供优异的性能表现,减少信号失真并优化电源完整性。
它的宽工作温度范围确保了在极端条件下的可靠运行,从而增强了系统的整体稳定性。
GA1210Y824KXAAT31G 广泛应用于射频模块、无线通信设备、基站、智能手机以及其他需要高频处理的电子设备中。常见的具体应用场景包括:
- 高频滤波器设计
- 射频放大器中的去耦
- 数据转换器的电源旁路
- 微波电路中的匹配网络
- 雷达系统中的信号调理组件
由于其小尺寸和高可靠性,该电容器也经常被用于可穿戴设备和其他便携式电子产品中。
GA1210Y102KXAAT31G
GA1210Y152KXAAT31G
GRM152B30J100KA01D