GA1210Y824JXJAT31G 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器模块,专为无线通信应用而设计。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)或GaN(氮化镓)工艺制造,具有高效率、高增益和宽带宽的特点。它能够支持多种无线通信标准,例如 LTE、5G NR 以及其他射频系统。此型号通常用于基站、中继器和其他需要高效射频放大的设备。
GA1210Y824JXJAT31G 集成了匹配网络和偏置电路,简化了系统设计,并提高了整体性能。此外,它还具备出色的线性度和稳定性,能够在复杂的射频环境中保持一致的输出性能。
工作频率范围:700MHz 至 6000MHz
输出功率:35dBm 典型值
增益:12dB 典型值
电源电压:28V 典型值
静态电流:典型值 350mA
效率:超过 50%(在特定条件下)
封装形式:陶瓷封装
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
1. 宽带设计支持多种通信标准,包括 LTE 和 5G NR。
2. 高效率和高线性度确保在复杂调制信号下的出色表现。
3. 内部集成匹配网络和偏置电路,减少了外部元件需求。
4. 出色的热管理和可靠性设计,适用于恶劣环境。
5. 支持脉冲负载模式,适合间歇性工作的应用场景。
6. 封装坚固耐用,能够承受高频振动和冲击。
1. 无线基础设施:宏基站、微基站和中继器。
2. 固定无线接入 (FWA) 系统。
3. 点对点和点对多点无线电通信。
4. 工业物联网 (IIoT) 设备中的射频传输。
5. 测试与测量设备中的射频信号生成。
6. 卫星通信地面站设备中的射频前端部分。
GA1210Y824JXJBT28G, GA1210Y824JXJCT32H