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GA1210Y824JBXAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 20:19:44 查看 阅读:4

GA1210Y824JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  其封装形式为行业标准的表面贴装类型,适合自动化生产,同时具备良好的电气隔离特性和抗干扰能力,使其在各种复杂环境下均能稳定工作。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:8.2mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:10ns
  功耗:1.2W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1210Y824JBXAT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能。
  4. 小型化封装设计,有助于节省PCB空间,适合紧凑型产品设计。
  5. 内置多重保护机制,如过流保护和热关断功能,确保器件安全运行。
  6. 符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品开发。

应用

该芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率级控制。
  2. 直流无刷电机(BLDC)驱动器的核心元件。
  3. LED照明驱动电路中的高效开关元件。
  4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
  6. 电池管理系统(BMS)中的负载切换与保护电路。

替代型号

GA1210Y824JAXT31G, IRFZ44N, FDP5500

GA1210Y824JBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.82 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-