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GA1210Y823KXBAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 20:50:11 查看 阅读:13

GA1210Y823KXBAR31G 是一款高性能的射频 (RF) 开关芯片,适用于无线通信领域。该芯片基于 GaAs(砷化镓)工艺制造,具有低插入损耗、高隔离度和卓越的线性性能。它支持多频段切换,在蜂窝基站、小基站以及射频前端模块中广泛应用。

参数

工作频率:DC 至 6 GHz
  插入损耗:0.4 dB(典型值)
  隔离度:35 dB(最小值)
  线性度(IP3):+58 dBm(典型值)
  供电电压:2.7 V 至 5.5 V
  静态电流:5 mA(典型值)
  封装形式:QFN 4x4 mm

特性

GA1210Y823KXBAR31G 提供出色的射频性能,能够满足现代通信系统对高频段切换的需求。
  1. 低插入损耗确保信号传输效率更高,减少功率损耗。
  2. 高隔离度有效避免不同频段之间的干扰,提升系统稳定性。
  3. 支持多模式操作,包括单刀双掷 (SPDT) 和单刀四掷 (SP4T) 功能配置。
  4. 内置 ESD 保护电路,提高芯片在恶劣环境下的可靠性。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型设备中。

应用

GA1210Y823KXBAR31G 芯片广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站中的收发切换开关。
  2. 小基站和中继器中的射频信号路由。
  3. 多频段天线切换控制。
  4. 射频前端模块 (FEM) 中的关键组件。
  5. 卫星通信及雷达系统的高频信号处理。
  6. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域中的无线设备。

替代型号

GA1210Y823KXBAR32G
  SKY13392-375LF
  BST26006P

GA1210Y823KXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-