时间：2025/5/28 10:52:02
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GA1210Y823KBJAR31G 是一款高性能的表面贴装陶瓷电容器，采用多层陶瓷技术制造。该电容器具有高可靠性和稳定性，适用于高频滤波、耦合和旁路等应用场合。其设计符合RoHS标准，并具备优异的温度特性和低ESR特性。
该型号中的具体参数可以通过分解来理解：GA通常代表制造商系列代码，1210表示尺寸代码（对应于1210英寸），Y823表示容值和精度编码，而其他字母则与额定电压、耐温等级、封装类型等相关。
尺寸：1210英寸
容量：0.082μF
额定电压：50V
公差：±5%
工作温度范围：-55℃至+125℃
封装形式：表面贴装
GA1210Y823KBJAR31G 采用了X7R介质材料，这种介质提供了良好的温度稳定性和容量变化率，在-55°C至+125°C范围内，容量变化不超过±15%。同时，该电容器拥有非常低的等效串联电阻(ESR)，从而确保在高频条件下的高效性能。
由于其紧凑的设计和高可靠性，该型号非常适合用于对空间敏感的应用场景，例如消费类电子产品、通信设备以及汽车电子系统中。此外，它还支持无铅焊接工艺，满足现代环保要求。
这款电容器广泛应用于各种电子电路中，包括但不限于：
1. 高频信号滤波
2. 电源电路中的去耦和旁路
3. RF模块中的匹配网络
4. 消费类音频设备中的信号耦合
5. 工业控制系统的噪声抑制
6. 汽车电子系统中的抗干扰处理
7. 数据通信设备中的瞬态电压保护
GA1210Y823KBJBR31G
GA1210Y823KBJCR31G
CC0805YR5B505M
Kemet C1210X7RF5BB823K
