GA1210Y823KBJAR31G 是一款高性能的表面贴装陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该电容器具有高可靠性和稳定性,适用于高频滤波、耦合和旁路等应用场合。其设计符合RoHS标准,并具备优异的温度特性和低ESR特性。
该型号中的具体参数可以通过分解来理解:GA通常代表制造商系列代码,1210表示尺寸代码(对应于1210英寸),Y823表示容值和精度编码,而其他字母则与额定电压、耐温等级、封装类型等相关。
尺寸:1210英寸
容量:0.082μF
额定电压:50V
公差:±5%
工作温度范围:-55℃至+125℃
封装形式:表面贴装
GA1210Y823KBJAR31G 采用了X7R介质材料,这种介质提供了良好的温度稳定性和容量变化率,在-55°C至+125°C范围内,容量变化不超过±15%。同时,该电容器拥有非常低的等效串联电阻(ESR),从而确保在高频条件下的高效性能。
由于其紧凑的设计和高可靠性,该型号非常适合用于对空间敏感的应用场景,例如消费类电子产品、通信设备以及汽车电子系统中。此外,它还支持无铅焊接工艺,满足现代环保要求。
这款电容器广泛应用于各种电子电路中,包括但不限于:
1. 高频信号滤波
2. 电源电路中的去耦和旁路
3. RF模块中的匹配网络
4. 消费类音频设备中的信号耦合
5. 工业控制系统的噪声抑制
6. 汽车电子系统中的抗干扰处理
7. 数据通信设备中的瞬态电压保护
GA1210Y823KBJBR31G
GA1210Y823KBJCR31G
CC0805YR5B505M
Kemet C1210X7RF5BB823K