时间：2025/6/3 22:50:42
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GA1210Y821MXEAR31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。它主要用于需要大容量数据存储的应用场景，如消费类电子产品、工业设备和嵌入式系统等。该芯片采用了先进的制造工艺，在确保低功耗的同时提供高速的数据传输能力。
这款芯片的设计注重可靠性与耐用性，支持多种接口协议以适应不同的硬件架构需求。此外，它还具备良好的错误校正能力和坏块管理功能，从而进一步提升数据完整性。
容量：128GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：400MB/s
擦写次数：3000次
封装形式：eMMC 157-Ball FBGA
工作温度范围：-25℃ 至 +85℃
GA1210Y821MXEAR31G 提供了高度优化的性能表现，其主要特点包括：
1. 高密度存储：通过多层单元（MLC）技术实现大容量存储。
2. 快速读写速度：采用 Toggle Mode 2.0 接口，显著提高数据吞吐量。
3. 耐用性设计：内置磨损均衡算法及错误检测与纠正机制（ECC），延长使用寿命。
4. 稳定运行：支持宽温工作范围，并经过严格测试以保证在各种环境下都能可靠工作。
5. 易于集成：遵循 JEDEC e.MMC v5.1 标准，简化系统设计流程。
该型号的 NAND Flash 存储芯片广泛适用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑中的内部存储解决方案。
2. 数字电视、机顶盒以及其他多媒体播放设备中的固件和媒体文件存储。
3. 工业自动化控制模块以及物联网终端节点的大容量数据记录。
4. 监控摄像头和行车记录仪等需要长时间连续写入操作的产品中作为缓存或日志保存介质。
5. 嵌入式计算平台上的操作系统加载与用户数据存储区域。
GA1210Y821MXEAR31F, GA1210Y821MXEAR31H
