时间：2025/6/17 19:22:15
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GA1210Y821JXEAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，其特点是能够在高频条件下保持较低的功耗，并且支持大电流操作。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压：120V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：10A
导通电阻：8.2mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=10ns, toff=15ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GA1210Y821JXEAR31G具有以下显著特性：
1. 低导通电阻（8.2mΩ），从而减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频工作环境。
3. 高额定电压（120V）和大电流承载能力（10A），确保在复杂负载条件下的稳定性。
4. 出色的热性能，有助于提升整体系统可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高，适用于工业级及消费电子类产品。
该器件广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统中的保护和切换功能。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 汽车电子系统中的负载控制组件。
IRFZ44N
FDP5800
STP10NK06Z
