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GA1210Y683MXXAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 13:58:39 查看 阅读:9

GA1210Y683MXXAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统性能。
  这款 MOSFET 属于增强型 N 沤道场效应晶体管,其设计优化了动态性能和热性能,非常适合要求高效能和紧凑设计的应用场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏电流(Id):75A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):76W
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
  栅极电荷(Qg):104nC(典型值)
  反向恢复时间(trr):28ns(典型值)

特性

GA1210Y683MXXAR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境,如开关电源和电机控制器。
  3. 强化了散热性能,能够在高温条件下稳定运行。
  4. 栅极电荷较低,有助于降低驱动损耗。
  5. 提供强大的过流能力和鲁棒性,确保在恶劣环境下也能可靠工作。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该 MOSFET 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
  3. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
  4. 太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
  5. 电动汽车和混合动力汽车中的功率转换模块。
  6. 各种需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

GA1210Y683MXXBR30G, IRF7846TRPBF, FDP5500NL

GA1210Y683MXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-