GA1210Y683MXXAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统性能。
这款 MOSFET 属于增强型 N 沤道场效应晶体管,其设计优化了动态性能和热性能,非常适合要求高效能和紧凑设计的应用场景。
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏电流(Id):75A
导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot):76W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
栅极电荷(Qg):104nC(典型值)
反向恢复时间(trr):28ns(典型值)
GA1210Y683MXXAR31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗,提高整体系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境,如开关电源和电机控制器。
3. 强化了散热性能,能够在高温条件下稳定运行。
4. 栅极电荷较低,有助于降低驱动损耗。
5. 提供强大的过流能力和鲁棒性,确保在恶劣环境下也能可靠工作。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
3. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的功率转换模块。
6. 各种需要高效功率开关的应用场景。
GA1210Y683MXXBR30G, IRF7846TRPBF, FDP5500NL