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GA1210Y683MXCAT31G 发布时间 时间:2025/6/11 11:34:39 查看 阅读:6

GA1210Y683MXCAT31G 是一款高性能的存储芯片,主要用于数据存储和管理。该芯片基于先进的工艺技术制造,能够提供高容量、高速度和低功耗的数据存储解决方案。其设计适用于各种需要大容量存储的应用场景,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式设备以及消费类电子产品。
  这款芯片具有高度集成化的特点,能够在有限的空间内提供更高的存储密度,并支持多种接口协议以满足不同设备的需求。

参数

类型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口:PCIe Gen4x4
  工作电压:1.8V
  读取速度:5000MB/s
  写入速度:4500MB/s
  擦写寿命:3000次
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保持时间:10年

特性

GA1210Y683MXCAT31G 采用了最新的 NAND Flash 技术,具备高可靠性和快速的数据传输能力。
  其主要特性包括:
  1. 支持 PCIe Gen4 接口,能够实现超高的数据传输速率。
  2. 内置 ECC 纠错机制,有效提升数据完整性。
  3. 高密度存储设计,适合对空间要求严格的设备。
  4. 支持多级坏块管理功能,进一步延长使用寿命。
  5. 提供全面的电源管理方案,降低整体功耗。
  6. 具备良好的耐久性,在极端温度环境下仍能稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 消费级固态硬盘(SSD),为个人电脑提供快速存储解决方案。
  2. 工业控制设备,用于实时数据记录与分析。
  3. 嵌入式系统,例如路由器、交换机等网络设备中的数据存储。
  4. 智能家居产品,作为本地数据存储的核心组件。
  5. 医疗设备,用于保存患者数据及诊断信息。
  6. 车载娱乐系统,提供稳定的多媒体文件存储服务。

替代型号

GA1210Y683MXCAT32G, GA1210Y683MXCAT31F

GA1210Y683MXCAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-