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GA1210Y683KBXAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:27:18 查看 阅读:11

GA1210Y683KBXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
  该型号中的部分字符可能代表封装形式、工作电压范围以及特定的应用环境要求等信息,具体需要结合厂商的数据手册进行确认。

参数

类型:MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):5mΩ
  功耗(Ptot):40W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

GA1210Y683KBXAT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,能够支持高频操作,从而减小外部元件体积。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 内置静电放电(ESD)保护功能,提升了产品的可靠性。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间并简化散热处理。

应用

该芯片广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter),用于汽车电子和通信设备。
  3. 电机驱动电路,例如家用电器中的风扇或泵控制。
  4. 工业自动化领域中的负载切换和功率调节。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理部分。

替代型号

GA1210Y683KBXAT31H, IRFZ44N, FDP5500

GA1210Y683KBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-