GA1210Y683JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中的高效能量转换。
型号:GA1210Y683JBXAT31G
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):1200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):150mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围(Ta):-55°C至+175°C
热阻(结到壳):0.6°C/W
GA1210Y683JBXAT31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,在高负载条件下可有效减少功率损耗。
2. 快速开关性能,适合高频应用环境,有助于提高整体系统效率。
3. 高耐压能力,能够承受高达1200V的漏源电压,适用于高压工业场景。
4. 内置反向恢复二极管,进一步优化了开关性能并降低了电磁干扰(EMI)。
5. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内稳定运行,确保长时间工作的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到各种现代电子设计中。
这款功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),用于高效的电能转换与管理。
2. DC-DC转换器,特别是在需要高效率和小尺寸解决方案的场合。
3. 电机驱动电路,如步进电机或无刷直流电机的控制。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率调节模块。
5. 工业自动化设备中的电源管理和负载切换功能。
6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的车载充电器及电池管理系统(BMS)。
IRFP260N
STW12NM120H
FDP16N120C
CSD19536KCS