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GA1210Y683JBXAT31G 发布时间 时间:2025/6/6 19:42:39 查看 阅读:3

GA1210Y683JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中的高效能量转换。

参数

型号:GA1210Y683JBXAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:TO-247
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):250W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+175°C
  热阻(结到壳):0.6°C/W

特性

GA1210Y683JBXAT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,在高负载条件下可有效减少功率损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境,有助于提高整体系统效率。
  3. 高耐压能力,能够承受高达1200V的漏源电压,适用于高压工业场景。
  4. 内置反向恢复二极管,进一步优化了开关性能并降低了电磁干扰(EMI)。
  5. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内稳定运行,确保长时间工作的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到各种现代电子设计中。

应用

这款功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),用于高效的电能转换与管理。
  2. DC-DC转换器,特别是在需要高效率和小尺寸解决方案的场合。
  3. 电机驱动电路,如步进电机或无刷直流电机的控制。
  4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率调节模块。
  5. 工业自动化设备中的电源管理和负载切换功能。
  6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的车载充电器及电池管理系统(BMS)。

替代型号

IRFP260N
  STW12NM120H
  FDP16N120C
  CSD19536KCS

GA1210Y683JBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-